特許
J-GLOBAL ID：200903000945634486
混成集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-188862
公開番号（公開出願番号）：特開平5-037106
出願日： 1991年07月29日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【目的】 大出力回路と小出力回路とが形成された大出力用の混成集積回路の大出力用回路の熱放散を向上させ且つ小出力回路を形成するチップ部品の半田接合部における温度サイクルによる半田接合部へのクラック発生を防止する。【構成】 基板(1)の一主面の同一層に略同一膜厚の低熱抵抗を有した第1の絶縁樹脂層(2)と延性特性を有した第2の絶縁樹脂層(5)とを形成し、第1の絶縁樹脂層(2)上にパワー半導体素子(6)を搭載し、第2の絶縁樹脂層(5)上にチップ部品(4)等を搭載する。
請求項（抜粋）：
金属基板上の一主面の同一層に略同一膜厚の所望重量比のフィラーが混入された低熱抵抗樹脂層と延性特性を有する絶縁樹脂層が形成され、前記低熱抵抗樹脂層上に形成された導電路上にパワー半導体素子が固着搭載され、前記延性特性を有する絶縁樹脂層上に形成された導電路上に前記パワー半導体素子以外の回路素子を固着搭載したことを特徴とする混成集積回路。
IPC (3件)：
H05K 1/05
, H01L 23/12 301
, H05K 1/18
