特許

J-GLOBAL ID：200903000946197330

プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体

発明者： 田中 諭志 ,  大矢 欣伸 ,  井上 文生
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-335681
公開番号（公開出願番号）：特開2009-158740
出願日： 2007年12月27日
公開日（公表日）： 2009年07月16日
要約：

【課題】20以上の高アスペクト比を有する貫通孔や穴形状を形成することができるとともに、ボーイング形状を抑制することができ、良好なエッチング形状を得ることのできるプラズマエッチング方法等を提供する。【解決手段】少なくともC4F6ガスとC6F6ガスとを含み、C4F6ガスのC6F6ガスに対する流量比(C4F6ガス流量/C6F6ガス流量)が2〜11である処理ガスをプラズマ化し、アモルファスカーボン層105をマスクとして酸化シリコン層104をプラズマエッチングし、開口幅に対する深さの比が20以上の穴形状111を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成された絶縁膜層に、開口幅に対する深さの比が20以上の穴形状をエッチングプロセスにより形成するプラズマエッチング方法であって、 少なくともC4F6ガスとC6F6ガスとを含み、C4F6ガスのC6F6ガスに対する流量比(C4F6ガス流量/C6F6ガス流量)が2〜11である処理ガスをプラズマ化して前記絶縁膜層に前記穴形状を形成することを特徴とするプラズマエッチング方法。

IPC (1件)：

H01L 21/306

FI (1件)：

H01L21/302 105A

Fターム (18件)：

5F004AA05 ,  5F004AA09 ,  5F004BA04 ,  5F004BA09 ,  5F004BB13 ,  5F004BB22 ,  5F004BB23 ,  5F004BB25 ,  5F004BC03 ,  5F004CA02 ,  5F004CA08 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004EA03 ,  5F004EA13 ,  5F004EB01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• プラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-232723   出願人：松下電子工業株式会社