特許

J-GLOBAL ID：200903000963293807

半導体装置及びその製造方法

発明者： 立岩 健二
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 福井 豊明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-190733
公開番号（公開出願番号）：特開2007-012823
出願日： 2005年06月29日
公開日（公表日）： 2007年01月18日
要約：

【課題】 接合リークを増大させることがなく、低抵抗なコンタクトを半導体基板の全面で安定して形成することができる半導体装置、及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体層を有する基板1上に、金属酸化物からなるライナ膜26と絶縁膜22からなる層間絶縁膜20を形成する。次に、絶縁膜22上に、コンタクトホール24の形成位置に開口部を有するマスクパターン23を形成する。そして、マスクパターン23をエッチングマスクとして絶縁膜22をエッチング除去し、ライナ膜26を露出させる。この後、露出したライナ膜26を真空中でエッチング除去し、半導体基板1を露出させ、当該真空中で連続して、露出した半導体基板1上に導電膜を形成することでコンタクト構造を形成する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

コンタクトホールを備えた半導体装置の製造方法において、 半導体層を有する基板上に、金属酸化物からなる第1の絶縁膜を形成する工程と、 前記第1の絶縁膜上に、第2の絶縁膜を形成する工程と、 前記第2の絶縁膜上に、コンタクトホール形成位置に開口部を有するマスクパターンを形成する工程と、 前記マスクパターンをエッチングマスクとして前記第2の絶縁膜をエッチング除去し、前記第1の絶縁膜を露出させる工程と、 真空中で、前記露出した第1の絶縁膜をエッチング除去し、下地層を露出させる工程と、 前記下地層露出工程と連続して、露出した下地層上に導電膜を形成する工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L21/28 L ,  H01L21/90 C ,  H01L29/78 301N ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 301Y ,  H01L29/78 616K

Fターム (132件)：

4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104BB04 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB25 ,  4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD18 ,  4M104DD23 ,  4M104DD37 ,  4M104DD52 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104EE09 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG08 ,  4M104HH20 ,  5F033HH04 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK25 ,  5F033KK27 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ94 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR01 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR07 ,  5F033RR08 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS13 ,  5F033TT02 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033WW02 ,  5F033XX00 ,  5F110AA03 ,  5F110AA06 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110EE32 ,  5F110FF04 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HL14 ,  5F110HM14 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN62 ,  5F110NN66 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F140AA10 ,  5F140AA24 ,  5F140AA26 ,  5F140AA39 ,  5F140AC36 ,  5F140BD09 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG09 ,  5F140BG10 ,  5F140BG45 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ20 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK26 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CC01 ,  5F140CC02 ,  5F140CC03 ,  5F140CC04 ,  5F140CC11 ,  5F140CC12 ,  5F140CE07 ,  5F140CE10 ,  5F140CF04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特公平7-97571号公報