特許
J-GLOBAL ID：200903000966286372

半導体装置およびその作製方法

発明者：
秋元 健吾

秋元 健吾 について

, 
村上 智史

村上 智史 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-234671
公開番号（公開出願番号）：特開2006-086514
出願日： 2005年08月12日
公開日（公表日）： 2006年03月30日
要約：
【課題】 本発明は、アクティブマトリクス型の表示装置において、配線の断面積を増大させることなく、相性の悪い2つの膜(ITO膜とアルミニウム膜)からなる配線や電極等を接続し、且つ、大画面化しても低消費電力を実現することを課題とする。【解決手段】 本発明は、配線または電極をアルミニウム合金膜の単層とし、そのアルミニウム合金膜の組成を調節してITOとの良好なオーミック接合を目指すのではなく、3層構造とすることで課題を解決する。本発明は、アルミニウム原子のチャネル形成領域への拡散を防止するために、TiまたはMoからなる第1導電層を設け、その上に電気抵抗値の低いアルミニウム単体(純アルミニウム)からなる第2導電層を設ける。さらに、その第2導電層の上に、ITOと反応しないアルミニウム合金からなる第3導電層を設け、配線又は電極を3層構造としてITOと接合させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に、半導体薄膜を活性層とした複数の薄膜トランジスタと、透明導電膜とを有する半導体装置であり、 前記半導体装置は、前記活性層と接するチタン単体またはモリブデン単体を含む第1導電層と、前記第1導電層上に接するアルミニウム単体を含む第2導電層と、前記第2導電層上に接する炭素を含むアルミニウム合金を含む第3導電層と、を順に積層した電極または配線を有し、 前記第3導電層上に接する透明導電膜を有していることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  G09F 9/30 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/768
FI (5件)：
H01L29/78 612C ,  G09F9/30 330Z ,  G09F9/30 338 ,  H01L21/88 R ,  H01L21/90 C
Fターム (141件)：
3K007AB06 ,  3K007AB08 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007CB01 ,  3K007CC00 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  3K007FA02 ,  5C094AA03 ,  5C094AA14 ,  5C094AA22 ,  5C094AA31 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094EA04 ,  5C094FB12 ,  5C094GB10 ,  5C094JA01 ,  5F033GG01 ,  5F033GG04 ,  5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH10 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ20 ,  5F033JJ28 ,  5F033JJ38 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033KK08 ,  5F033KK10 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK20 ,  5F033LL04 ,  5F033LL06 ,  5F033LL09 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM19 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ34 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ90 ,  5F033QQ91 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR09 ,  5F033RR20 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033WW00 ,  5F033WW04 ,  5F033XX09 ,  5F033XX16 ,  5F033XX18 ,  5F033XX20 ,  5F033XX28 ,  5F110AA09 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF07 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL01 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110HM03 ,  5F110HM15 ,  5F110HM18 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ28
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (11件)
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