特許

J-GLOBAL ID：200903000966506739

バイアス電位発生回路

発明者： 西 和義
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-292325
公開番号（公開出願番号）：特開2004-127077
出願日： 2002年10月04日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：

【課題】パワーセーブ後の復帰動作の高速化を図る。【解決手段】複数のバイアス電位を、各バイアス電位毎に設定された待機電位との間で切り換えて発生させるバイアス電位発生回路において、電位復帰部10,12が発生電位を待機電位からバイアス電位に復帰させる。電位復帰部10,12の駆動制御を駆動制御部11,13,14が行い、電位復帰部10,12を各バイアス電位毎に設ける。さらに、電位復帰部10,12の駆動時間を駆動時間設定部15Aが任意に設定する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

複数のバイアス電位を、各バイアス電位毎に設定された待機電位との間で切り換えて発生させるバイアス電位発生回路であって、 発生電位を前記待機電位から前記バイアス電位に復帰させる電位復帰部と、 前記電位復帰部の駆動制御を行う駆動制御部と、 を有し、 前記電位復帰部を各バイアス電位毎に設ける、 ことを特徴とするバイアス電位発生回路。

IPC (7件)：

G05F3/24 ,  G02F1/133 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H03K17/04 ,  H03K17/687 ,  H03K19/00

FI (6件)：

G05F3/24 B ,  G02F1/133 520 ,  H03K17/04 E ,  H03K19/00 A ,  H01L27/04 G ,  H03K17/687 H

Fターム (47件)：

2H093NC04 ,  2H093NC16 ,  2H093NC25 ,  2H093ND48 ,  2H093ND49 ,  5F038AV06 ,  5F038BB02 ,  5F038BB08 ,  5F038BE01 ,  5F038BG02 ,  5F038BG06 ,  5F038CD13 ,  5F038EZ20 ,  5H420NB02 ,  5H420NB16 ,  5H420NB25 ,  5H420NB26 ,  5H420NB28 ,  5H420NB35 ,  5H420NE23 ,  5J055AX02 ,  5J055BX16 ,  5J055CX30 ,  5J055DX13 ,  5J055DX14 ,  5J055DX22 ,  5J055EX01 ,  5J055EY01 ,  5J055EY10 ,  5J055EY21 ,  5J055EZ07 ,  5J055EZ28 ,  5J055EZ33 ,  5J055EZ51 ,  5J055GX01 ,  5J055GX04 ,  5J056AA04 ,  5J056BB02 ,  5J056BB17 ,  5J056CC00 ,  5J056CC16 ,  5J056DD13 ,  5J056DD28 ,  5J056DD51 ,  5J056FF01 ,  5J056FF07 ,  5J056KK01

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特許第3147079号
  
• 特開平1-173391
  

審査官引用 (2件)

• 特許第3147079号
  
• 特開平1-173391