特許
J-GLOBAL ID：200903000971306390
高周波回路基板
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-355992
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186693
出願日： 1997年12月25日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 本発明は上述の課題に鑑みて案出されたものであり、その目的は、インダクタ導体膜の一部に調整除去溝を形成しても、高周波信号のリークが発生されることがなく、調整したインダクタンス成分が安定化的に維持できる高周波回路基板を提供する。【解決手段】 本発明は、誘電体層1aの両主面にインダクタ導体膜2と、該インダクタ導体膜2と対向し、且つ互いに接続され、所定間隔の複数の帯状グランド導体膜3a、3b、3c・・・を形成するとともに、前記帯状グランド導体膜3a、3b、3c・・・との間の間隔部分に対向するインダクタ導体膜2に、インダクタ導体膜2の導体長を実質的に延長させる調整除去溝2a、2bを形成した高周波回路基板である。
請求項（抜粋）：
誘電体層の一方主面にインダクタ導体膜に形成し、他方主面に前記インダクタ導体膜と対向し、且つ所定間隔を有して互いに接続された複数の帯状グランド導体膜を夫々形成するとともに、前記複数の帯状グランド導体膜間に対向するインダクタ導体膜に、該インダクタ導体膜の導体長を実質的に延長させてインダクタタンス成分を増加させる調整除去溝を形成したことを特徴とする高周波回路基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H05K 1/16 D
, H01F 17/00 A
