電界効果トランジスタ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：並川啓志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-154527
公開番号（公開出願番号）：特開平6-342813
出願日： 1993年06月02日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】狭い半導体基板の面積においても大きな出力電力を得ることが可能な電界効果トランジスタの電極構成を提供する。【構成】3本のドレイン電極60は、半導体基板10上の入力側辺11の反対側の出力側辺12の近傍に設けられたドレイン引き出し領域70に接続され、4本のソース電極50は、ビアホール51を介して半導体基板10の裏面の裏面電極に接続され、接地される。第1の電極指群33は、ゲート引き出し領域20の入力側辺11と対向する側にゲート引き出し領域20よりも狭い幅で設けられた第1のゲートバス35を介して、また、第2の電極指群34は、半導体基板10上の入力側辺11のゲート引き出し領域20が設けられていない範囲に設けられた第2のゲートバス36を介してゲート引き出し領域20に接続される。半導体基板上により長いゲート電極幅を得ることができ、出力電力を高めることができる。

請求項（抜粋）：

矩形の半導体基板、および該半導体基板の一主面上に設けられたゲート電極、ドレイン電極、ソース電極、並びに前記ゲート電極および前記ドレイン電極にそれぞれ接続された複数の引き出し領域を含む電界効果トランジスタにおいて、(a)一方の前記引き出し領域が、前記半導体基板の一辺の近傍にその辺の長さよりも狭い幅で設けられており、(b)他方の前記引き出し領域が、前記一辺に対向する前記半導体基板の他辺の近傍に設けられており、(c)前記ゲート電極が、前記一辺に対してほぼ垂直方向に伸び、前記一方の引き出し領域から前記他辺の間に延在する複数の電極指から構成される第1の電極指群と、前記一方の引き出し領域が設けられていない前記一辺の近傍から前記他辺の間に延在する複数の電極指から構成される第2の電極指群とを含んでおり、(d)前記ソース電極およびドレイン電極が、前記ゲート電極指に隣接してそれぞれ設けられていることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (3件)：

H01L 29/80 L , H01L 29/80 B , H01L 29/80 U

前のページに戻る