特許
J-GLOBAL ID：200903000974912754
レ-ザ駆動電流制御回路及びLD保護回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
斉藤 千幹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-004233
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208866
出願日： 1999年01月11日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：
【要約】【課題】 LDの過剰発光を防止するLD保護回路をアノードコモン、カソードコモンの各タイプに共用できるようにする【解決手段】 アノードコモンタイプあるいはカソードコモンタイプのLD11と半導体スイッチと抵抗とを直列に接続してLD電流の通路を形成し、自動電流制御回路12は該抵抗の端子電圧が設定電圧になるように半導体スイッチをオン/オフ制御してLD電流を設定電流値にする。LD電流制限回路16は、発光パワーが設定値以上になった時、LD11がアノードコモンタイプであれば、制限電流を自動電流制御回路12の前記抵抗に流し込み、LD11がカソードコモンタイプであれば制限電流分の電流を前記抵抗から流し出すようにしてレーザ電流を制限して、発光パワーを低減する。
請求項（抜粋）：
アノードコモンタイプあるいはカソードコモンタイプのレーザダイオード(LD)と半導体スイッチと抵抗を直列に接続し、レーザ駆動電流により生じる前記抵抗の端子電圧が設定電圧と等しくなるように帰還制御して該レーザ駆動電流を設定値にするレーザ駆動電流制御回路において、2つの極性の異なる半導体素子が相補的に接続され、いずれの半導体素子がオンしてもエミッタフォロワを構成し、かつ前記設定電圧が入力される第1のエミッタフォロワ部、2つの極性の異なる半導体素子が相補的に接続され、いずれの半導体素子がオンしてもエミッタフォロワを構成し、かつ前記端子電圧に応じた帰還電圧が入力される第2のエミッタフォロワ部、前記第1、第2のエミッタフォロワ部の出力電圧を減衰する減衰部、減衰部で減衰された設定電圧と帰還電圧がそれぞれ反転入力端子と非反転入力端子に入力され、該両電圧信号の大小に基づいて前記半導体スイッチをオン/オフする信号を出力するオペレーションアンプ、2つの極性の異なる半導体素子が相補的に接続され、いずれの半導体素子がオンしてもエミッタフォロワを構成し、かつオペレーションアンプの出力信号が入力される第3のエミッタフォロワ部を備え、第3のエミッタフォロワ部の出力信号により前記半導体スイッチをオン/オフすることを特徴とするレーザ駆動電流制御回路。
Fターム (3件)：
5F073EA03
, 5F073GA21
, 5F073GA38
