特許
J-GLOBAL ID：200903000975348704
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-168085
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022379
出願日： 1996年06月28日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：
【要約】【課題】コンタクトホール等にタングステンプラグを埋め込み、このタングステンプラグと接続するアルミニウム配線層を形成する半導体装置の製造方法に関し、タングステンプラグと接触するアルミニウム配線層に異常成長が生じないようにする。【解決手段】コンタクトホール又はビアホール13内に埋め込んだタングステン膜15と接触するアルミニウム又はアルミニウムを主成分とする配線層16を形成する前にタングステン膜15をアルカリ溶液に曝し、又は不活性ガス或いは酸素ガスのプラズマに曝すことを特徴とする。
請求項１：
基板上に開口部を有する絶縁膜を形成する工程と、前記開口部内に選択的にタングステン膜を埋め込む工程と、前記開口部内に埋め込まれたタングステン膜を不活性ガス或いは酸素ガスのプラズマ又はアルカリ溶液に曝した後で、前記開口部と前記絶縁膜を含む基板上にアルミニウム又はアルミニウムを主成分とする配線層を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/768
, H01L 21/285 301
, H01L 21/3065
H01L 21/90 C
, H01L 21/285 301 R
, H01L 21/302 N
