特許

J-GLOBAL ID：200903000981950157

セラミック基板への銅メタライズ法

発明者： 吉澤 出 ,  高橋 広明 ,  川原 智之
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-257046
公開番号（公開出願番号）：特開平10-101462
出願日： 1996年09月27日
公開日（公表日）： 1998年04月21日
要約：

【要約】【課題】 セラミック基板と平行方向に加わる力による剥離モードの密着強度が優れているメタライズ層が得られる銅メタライズ法を提供する。【解決手段】 下記の?@〜?Cの工程を備えることを特徴とする。?@セラミック系無機粉体と、銅元素と、Bi元素及び/又はV元素とを含んでなるペーストを、母材となるセラミック基板上に塗布して下地層を形成する工程;?A上記セラミック基板を構成するセラミック成分と、上記ペースト中に含まれるBi元素及び/又はV元素との共晶物が形成する温度範囲で、且つ、酸化性雰囲気中で、上記下地層を熱処理する工程;?B上記の熱処理を終えた下地層を溶液中で還元する工程;?C還元した下地層にメッキ法又はスパッタ法により銅をメタライズする工程。

請求項（抜粋）：

下記の?@〜?Cの工程を備えることを特徴とするセラミック基板への銅メタライズ法。?@セラミック系無機粉体と、銅元素と、Bi元素及び/又はV元素とを含んでなるペーストを、母材となるセラミック基板上に塗布して下地層を形成する工程;?A上記セラミック基板を構成するセラミック成分と、上記ペースト中に含まれるBi元素及び/又はV元素との共晶物が形成する温度範囲で、且つ、酸化性雰囲気中で、上記下地層を熱処理する工程;?B上記の熱処理を終えた下地層を溶液中で還元する工程;?C還元した下地層にメッキ法又はスパッタ法により銅をメタライズする工程。

IPC (3件)：

C04B 41/88 ,  H05K 3/12 610 ,  H05K 3/24

FI (3件)：

C04B 41/88 M ,  H05K 3/12 610 F ,  H05K 3/24 C