特許

J-GLOBAL ID：200903000982104195

半導体装置の作製方法

発明者： 宮澤 丈夫 ,  小林 二三彦 ,  森 英史
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-232808
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097501
出願日： 1994年09月28日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】 気相成長法によって表面が平坦な面型光素子の製作を可能にする。【構成】 (100)面を有するInP基板Sの表面に所定の大きさの開口部を有するSiO2 マスク13を形成し、このSiO2 マスク13をエッチングマスクとしてInP基板Sをエタンと水素とを反応ガスとする反応性イオンエッチングにより凹溝状に加工して方形のメサ構造7およびこのメサ構造7を囲む側壁5および壁8の側壁9を形成する。

請求項（抜粋）：

気相成長法により柱状の半導体メサ構造を半導体によって埋め込む半導体装置の作製方法において、前記半導体メサ構造の周囲に半導体の壁を巡らせた構造を少なくとも1つを形成し、前記半導体の壁を巡らせた構造を埋め込むことを特徴とした半導体装置の作製方法。