特許
J-GLOBAL ID：200903000983726556
強誘電体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-167859
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013545
出願日： 1992年06月25日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】強誘電体装置の電気的特性の安定化を図る。【構成】強誘電体装置に関し、(1)強誘電体膜105表面に燐ガラス層106を形成するか、あるいは該燐ガラス層を形成後除去する事、(2)強誘電体膜表面にシリコン窒化膜を形成する事、(3)強誘電体膜表面に少なくとも一個所以上窒化チタン膜から成る電極を形成する事、および(4)少なくとも強誘電体膜の一主面に、2個の電極103,107を対向して形成する事、等である。【効果】誘電体中のアルカリ金属可動イオンを捕獲、また酸素の放出を防止することによる酸素欠損防止、また構成元素の偏析防止し、また電極と誘電体膜との間の界面準位密度を同一化等により、特性の劣化を防止することができる。電気的特性が一定し、寿命が長い、特性の安定した強誘電体装置を提供できる。
請求項（抜粋）：
強誘電体膜表面には燐ガラス層が形成されて成るか、あるいは該燐ガラス層を形成後除去して成る事を特徴とする強誘電体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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