特許
J-GLOBAL ID：200903000985224213
薄膜ガスセンサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森田 雄一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-347906
公開番号（公開出願番号）：特開平11-183420
出願日： 1997年12月17日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 小型で消費電力が小さく、従来の素子と同等以上の感度とガス選択性を有する薄膜ガスセンサを提供する。【解決手段】 本発明は、基板1と、前記基板上に間隔を持って一対に形成された電極3と、前記電極間上に積層され、被検ガスに反応して電気抵抗値を変化させる酸化物半導体から成るセンサ薄膜層4と、前記センサ薄膜層上に積層され、被検ガスの検出感度を高める触媒層5と、前記触媒層上に積層され、被検ガス以外の媒質を選択的に燃焼させる選択燃焼層6を備える。
請求項（抜粋）：
被検ガスの有無を検出する薄膜ガスセンサにおいて、基板と、前記基板上に間隔を持って一対に形成された電極と、前記電極間上に積層され、被検ガスに反応して電気抵抗値を変化させる酸化物半導体から成るセンサ薄膜層と、前記センサ薄膜層上に積層され、被検ガスの検出感度を高める触媒層と、前記触媒層上に積層され、被検ガス以外の媒質を選択的に燃焼させる選択燃焼層を備えることを特徴とする薄膜ガスセンサ。
FI (2件)：
G01N 27/12 B
, G01N 27/12 C
