特許

J-GLOBAL ID：200903000990141555

半導体レーザ装置及びその製造方法

発明者： 平山 雄三 ,  小野村 正明 ,  森永 素安 ,  鈴木 信夫 ,  定政 哲雄 ,  櫛部 光弘
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-278766
公開番号（公開出願番号）：特開平5-007056
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：

【要約】【目的】 波長可変幅が広く、かつ波長可変時にスペクトル線幅の広がらない波長可変型の半導体レーザ装置を提供することにある。【構成】 波長可変型のDFB半導体レーザ装置において、共振器方向に沿って活性領域の量子井戸構造(例えば井戸数)を変えて、同一共振器内にキャリア密度-利得特性の異なる複数の活性領域21,22a,22bを設け、これらの活性領域21,22a,22bに対応して複数の電極181 ,182 ,183 を設けたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

分布帰還型の半導体レーザからなり、同一共振器内に形成したキャリア密度-利得特性の異なる複数の活性領域と、該複数の活性領域に対応して設けられた複数の電極とを具備してなることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  G02F 1/35

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平4-076979
  
• 特開平4-000783
  
• 特開平4-061183
  
• 特開昭64-005088
  

審査官引用 (4件)

• 特開平4-076979
  
• 特開平4-000783
  
• 特開平4-061183
  
• 特開昭64-005088