不揮発性半導体記憶装置の評価方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-220489
公開番号（公開出願番号）：特開平11-066898
出願日： 1997年08月15日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】従来、不揮発性メモリを備える半導体装置において、過消去メモリセルが多数存在し閾値が広く分布したメモリセルアレイに対してセルフコンバージェンス処理を施しても、過大なリーク電流量のために、ビット線電位が降下し、チャージポンプの電流量供給能力を越えてしまった場合には救済されなかった。【解決手段】本発明は、EEPROM等の不揮発性メモリの製品検査で、サブスレッショルド領域のリーク電流量のドレイン電圧依存性を利用して、メモリセルの全ワードをGND電位にして読み出し時のドレイン電圧を与えた時にメモリセルに流れるリーク電流量の大きさで過消去メモリセルがセルフコンバージェンス処理による救済可能か否か判定し、救済できない場合には、セルフコンバージェンス処理前に不良品として排除することができる不揮発性半導体記憶装置の評価方法である。

請求項（抜粋）：

ドレイン電圧と閾値の変化に追従してリーク電流量が変化するサブスレッショルド領域のリーク電流量のドレイン電圧依存性を有するメモリセルトランジスタを複数備える不揮発性半導体記憶装置の評価方法において、複数の前記メモリセルトランジスタを一括してデータを消去する消去動作の後前記メモリセルトランジスタ中に過消去メモリセルが存在することが検出された際に、前記メモリセルトランジスタのゲートを接地し、読み出し時に印加する電圧値以下の電圧をドレインに印加した時に流れるリーク電流量を計測し、前記リーク電流量が基準電流量以下のときには、前記過消去メモリセルのセルフコンバージェンス処理による救済が可能であると判別することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の評価方法。

IPC (6件)：

G11C 29/00 673 , G01R 31/26 , G11C 16/02 , G11C 16/06 , H01L 27/115 , H01L 27/10 491

FI (6件)：

G11C 29/00 673 K , G01R 31/26 B , H01L 27/10 491 , G11C 17/00 612 D , G11C 17/00 634 E , H01L 27/10 434

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