特許

J-GLOBAL ID：200903000990517202

半導体装置及びその製造方法

発明者： 飯島 光輝
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-161056
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321300
出願日： 1996年05月31日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】 電流駆動能力が経時的に低下せず且つ微細で信頼性の高いトランジスタを形成する。【解決手段】 多結晶シリコン膜48から成るゲート電極にシリコン酸化膜34、38、45から成る側壁絶縁膜が設けられているが、フィールドシールドゲート電極である多結晶シリコン膜33が側壁絶縁膜中に埋設されているので、側壁絶縁膜中に進入したホットキャリアは多結晶シリコン膜33を介して放電される。また、シリコン酸化膜34、38、45に覆われている多結晶シリコン膜33間の凹部を埋める多結晶シリコン膜48で、素子分離領域に対して自己整合的にゲート電極が形成されているので、ゲート電極の合わせずれによる不具合が生じない。

請求項（抜粋）：

チャネル領域の両側に設けられた相対的に低濃度の不純物拡散層と、この相対的に低濃度の不純物拡散層に対して前記チャネル領域とは反対側に設けられた相対的に高濃度の不純物拡散層とが半導体基板に形成された半導体装置において、前記相対的に低濃度の不純物拡散層上に形成されたゲート電極の側壁絶縁膜中に導電層が埋設されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/76 S ,  H01L 29/78 301 L