有機金属気相結晶成長装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-436939
公開番号（公開出願番号）：特開2005-197326
出願日： 2003年12月27日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：

【課題】有機金属気相結晶成長装置により成膜する化合物半導体に、Mgは高濃度のドーピングをするため、メモリー効果を抑制すること。【解決手段】反応炉へ接続する原料供給系をIII族有機金属化合物(MO:TMGa、TMAl、TMI等)供給系、V族化合物(PH3,AsH3等)供給系、及びドーピング物質(Cp2Mg、SiH4、Si2H5等)供給系からなる3系統を夫々分離独立した配管及び経路を有するシステム構造にし、且つ反応炉内への原料導入ノズルも噴射出口まで完全に3系統独立した分離構造にすると共に、Cp2Mg用専用配管及び噴射ノズルのCp2Mg導入経路を、Cp2Mgが凝結せず且つ分解しない程度の温度(一定或は或範囲)に保温管理する構造にした。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

III族有機金属化合物(MO:TMGa、TMAl、TMI等)供給系、V族化合物(PH3,ASH3等)供給系、及びドーピング物質(Cp2Mg:(Bis-(cycro-pentadienyl)Magnesium)、SiH4、Si2H5等)供給系からなるIII-V族化合物半導体用成膜装置において、Cp2Mg供給配管系は、MO(有機金属)供給配管系、PH3(或いはAsH3)供給配管系及びCp2Mg以外のドーピング物質供給系とは切り離して単独に設け、配管内でCp2Mgが凝結するのを防止するために凝結温度以上で且つ分解しない程度の範囲内の温度(通常:40〜60°C程度)に保温し、配管は最短(Cp2Mgの供給経路を開閉する反応炉(リアクター)直前の開閉バルブとガス供給ノズルとの間の配管長:0〜30cm)で噴射ノズルに直結した配管システム構造を有することを特徴とするMOVPE有機金属気相薄膜成長装置。

IPC (2件)：

H01L21/205 , C23C16/455

FI (2件)：

H01L21/205 , C23C16/455

Fターム (27件)：

4K030AA05 , 4K030AA06 , 4K030AA08 , 4K030AA11 , 4K030AA20 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA24 , 4K030BA35 , 4K030EA03 , 4K030JA03 , 4K030JA10 , 4K030KA25 , 4K030LA14 , 5F045AA04 , 5F045AB10 , 5F045AB18 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC19 , 5F045BB04 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045EC09 , 5F045EE15 , 5F045EF09

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