半導体発光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小栗昌平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-099780
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313441
出願日： 1999年02月12日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：

【要約】【目的】ダブルヘテロ接合構造の半導体発光素子であって、発光効率が高く、かつ動作電圧が低い半導体発光素子を提供する。【構成】 n型クラッド層4と活性層5とp型クラッド層6のサンドイッチ構造を少なくとも有し、前記活性層のバンドギャップエネルギーが前記両クラッド層のバンドギャップエネルギーより小さい材料で形成されるダブルヘテロ接合型の半導体発光素子であって、前記n型クラッド層のバンドギャップエネルギーが前記p型クラッド層のバンドギャップエネルギーより小さくなるように前記両クラッド層の材料が選定されてなる。

請求項（抜粋）：

チッ化ガリウム系化合物半導体からなるn型クラッド層と活性層とp型クラッド層のサンドイッチ構造を少なくとも有し、前記活性層のバンドギャップエネルギーが前記両クラッド層のバンドギャップエネルギーより小さい材料で形成されるダブルヘテロ接合型の半導体発光素子であって、前記n型クラッド層のバンドギャップエネルギーと前記活性層のバンドギャップエネルギーとの差が、前記p型クラッド層のバンドギャップエネルギーと前記活性層のバンドギャップエネルギーとの差の1/3〜1/2程度になるように、前記n型クラッド層がn型Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0≦x≦0.5)からなり、前記活性層がIn<SB>y</SB>Ga<SB>1</SB><SB></SB><SB>-y</SB>N(0≦y≦1)からなり、前記p型クラッド層がp型Al<SB>z</SB>Ga<SB>1-z</SB>N(0<z≦1)からなり、発光ダイオードを構成するように、前記両クラッド層の材料が選定されてなる半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01S 5/323 610 , H01L 33/00 , H01S 5/22

FI (3件)：

H01S 5/323 610 , H01L 33/00 C , H01S 5/22

前のページに戻る