特許
J-GLOBAL ID:200903000992425712
多分枝型ポリアルキレンオキシドポロゲンおよびその製造方法並びにそれを用いた低誘電性絶縁膜
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
杉村 興作 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-110253
公開番号(公開出願番号):特開2003-040998
出願日: 2002年04月12日
公開日(公表日): 2003年02月13日
要約:
【要約】【課題】 多分枝型ポリアルキレンオキシドポロゲンとそれを用いた低誘電性絶縁膜の提供。【解決手段】 中心分子(D)に直鎖型、2分枝型または4分枝型側鎖(W)が結合した構造を有する下記一般式(I)で表される多分枝型ポリアルキレンオキシドポロゲン、そして前記一般式(I)で表されるポロゲンとポリシルセスキオキサンのような高耐熱性樹脂が含まれた溶液をコーティングし、熱処理してポロゲンを熱分解して製造されたもので、微細な気孔を含むので、低い非誘電常数を有する絶縁膜に関する。【化1】(式中、Wは特定の側鎖であり、Yを構成する特定の基を介して、特定の中心分子Dに結合される。)
請求項(抜粋):
中心分子(D)に直鎖型、2分枝型または4分枝型側鎖(W)が結合された構造を有する、下記一般式(I)で表される多分枝型ポリアルキレンオキシドポロゲン。【化1】(式中、Dは、【化2】から選ばれ;Wは、【化3】から選ばれ;Yは、中心分子と側鎖を連結する基であって、【化4】から選ばれ;この際、jとkは各々0または1〜4の自然数であり;Zは、【化5】であり、R1は、 水素原子、メチル基、エチル基およびフェニル基から選ばれ;Rは、【化6】であり、この際、nとmは各々0または1〜30の自然数であり;R2は、水素原子、C1〜C5のアルキル基およびベンジル基から選ばれ;lは3〜8の自然数である。)
IPC (15件):
C08G 65/329
, C07C 41/03
, C07C 43/23
, C07C 67/08
, C07C 68/00
, C07C 69/708
, C07C 69/74
, C07C 69/76
, C07C 69/96
, C07F 7/21
, C08G 65/26
, C08J 9/02 CFJ
, H01B 3/46
, H01L 21/312
, C08L 71:02
FI (15件):
C08G 65/329
, C07C 41/03
, C07C 43/23 D
, C07C 67/08
, C07C 68/00 C
, C07C 69/708 Z
, C07C 69/74 Z
, C07C 69/76 Z
, C07C 69/96 Z
, C07F 7/21
, C08G 65/26
, C08J 9/02 CFJ
, H01B 3/46 D
, H01L 21/312 C
, C08L 71:02
Fターム (48件):
4F074AA76
, 4F074CA13
, 4F074CC04Y
, 4F074DA03
, 4F074DA12
, 4F074DA47
, 4H006AA01
, 4H006AA02
, 4H006AB78
, 4H006AC48
, 4H006BJ50
, 4H006BP10
, 4H006GN06
, 4H006GP03
, 4H006KA06
, 4H006KC20
, 4H006KC30
, 4H049VN01
, 4H049VP04
, 4H049VQ87
, 4H049VR22
, 4H049VR42
, 4H049VS87
, 4H049VT17
, 4H049VT40
, 4H049VV02
, 4H049VW01
, 4J005AA04
, 4J005AA21
, 4J005BD02
, 4J005BD03
, 4J005BD08
, 5F058AA10
, 5F058AC03
, 5F058AC10
, 5F058AF04
, 5F058AG01
, 5F058AH02
, 5G305AA07
, 5G305AB10
, 5G305AB24
, 5G305BA09
, 5G305BA18
, 5G305CA13
, 5G305CA26
, 5G305CA37
, 5G305CA39
, 5G305CD20
引用特許:
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