特許

J-GLOBAL ID：200903001002049866

ウェハキャリア

発明者： 竹之内 修一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-350820
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189702
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェハとキャリア溝部側壁との接触部近傍に形成される処理液停滞領域を大幅に低減させた、洗浄やウェットエッチング工程で使用するウェハキャリアを提供する。【解決手段】 半導体ウェハ2の水平方向の直径に対応する水平位置(L1 -L1 )より距離hだけ上方の所定位置(L2 -L2 )にあるウェハキャリア1のキャリア溝部側壁、即ち側壁部3の側壁柱状部3d表面に凸部40を設ける。【効果】 半導体装置の製造歩留向上が可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハの洗浄およびウエットエッチング工程で使用するウェハキャリアにおいて、前記ウェハキャリアに前記半導体ウェハが収納された状態における、前記半導体ウェハの水平方向の直径に対応する水平位置より上方の所定位置にある前記ウェハキャリアのキャリア溝部側壁に凸部を設けたことを特徴とするウェハキャリア。

IPC (2件)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/304 341

FI (2件)：

H01L 21/68 T ,  H01L 21/304 341 C