特許

J-GLOBAL ID：200903001005871265

キャパシタ

発明者： 三重野 文健 ,  古村 雄二 ,  筑根 敦弘 ,  宮田 宏志 ,  武田 正行
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-237507
公開番号（公開出願番号）：特開平6-085196
出願日： 1992年09月07日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】 特にDRAMに適するキャパシタに関し,フィン型電極の湾曲を防止して,精密かつ信頼性の高いキャパシタを提供することを目的とする。【構成】 基板1上に垂設された導体柱の側面に,相互に空隙10を設けて平行に固着された複数の導体板を有してなるフィン型電極11と,導体板の表面に形成された絶縁膜を挟み導体板間の空隙10を埋め込み形成された電極8とを有するキャパシタにおいて,フィン型電極11は,炭化珪素からなることを特徴として構成する。

請求項（抜粋）：

基板(1)上に垂設された導体柱の側面に,相互に空隙(10)を設けて平行に固着された複数の導体板を有してなるフィン型電極(11)と,該導体板の表面に形成された絶縁膜を挟み該導体板間の空隙(10)を埋め込み形成された電極(8)とを有するキャパシタにおいて,該フィン型電極(11)は,炭化珪素からなることを特徴とするキャパシタ。

IPC (2件)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04