特許
J-GLOBAL ID：200903001009107527
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-000885
公開番号（公開出願番号）：特開2003-203932
出願日： 2002年01月07日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：
【要約】【課題】 放熱効率が高く、硬質の接着剤を使用した場合であっても、パッケージ基板と半導体基板との熱膨張係数の差異による歪の発生が抑制され、環境問題にも配慮された半導体装置を提供する。【解決手段】 パッケージ基板10と、パッケージ基板10上に配置された多孔質部材11と、多孔質部材11の下面に配置された接着剤層14a、多孔質部材の上面に配置された接着剤層14bと、接着剤層14b上に配置され、半導体素子16を組み込んだ半導体基板160と、半導体基板160上に配置された酸化膜13と、半導体基板160上の酸化膜13のコンタクトホールの内側に配置された電極17a〜17cと、電極17a〜17cに一方の端部が電気的に接続されたリード細線18a〜18cと、リード細線18a〜18cの他方の端部に電気的に接続されたリード端子19a〜19cとを具備する。
請求項（抜粋）：
パッケージ基板と、前記パッケージ基板上に配置され、少なくとも一部の気孔に他の材料からなる充填用部材を充填した多孔質部材と、前記多孔質部材上に配置された、半導体素子が組み込まれた半導体基板とを具備することを特徴とする半導体装置。
Fターム (3件)：
5F047AA13
, 5F047BA00
, 5F047BC31
