特許

J-GLOBAL ID：200903001010417475

半導体集積回路装置

発明者： 長安 芳彦
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山田 稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-294488
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136121
出願日： 1991年11月11日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】【目的】 半導体集積回路装置の、構成素子の分離に用いられる分離層において、PN接合部表面の大きな界面準位をなくし表面における耐圧の向上を図り、同時に、分離層表面に形成される結晶欠陥層の発生を防止しリーク電流の削減を図る。【構成】 イオン注入された分離層表面8に薄い熱酸化膜5を形成することにより結晶欠陥層の発生を抑制し、PN接合部表面13に厚い熱酸化膜4を形成することにより大きな界面準位を抑止する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された複数の構成素子を、PN接合により分離する分離拡散層を有する半導体集積回路装置において、前記分離拡散層を形成する不純物の注入された表面領域に積層された第1の熱酸化膜と、前記不純物の拡散により形成された前記PN接合部の表面に積層された第2の熱酸化膜とを有し、前記第2の熱酸化膜は前記第1の熱酸化膜に比して厚いことを特徴とする半導体集積回路装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭58-027341
  
• 特開昭58-056433
  
• 特開昭60-111466
  
• 特開平1-138753