特許
J-GLOBAL ID：200903001012822474
III 族窒化物レーザーダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-274098
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107375
出願日： 1996年09月25日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：
【要約】【課題】劈開面をレーザー共振面とし、導電性の高い基板を有するIII 族窒化物半導体レーザを提供することにある。【解決手段】シリコン基板1および、その(1,1,1) 面である基板面上に結晶成長されたAlx Gay In1-x-y N (但し、 0≦x 、0 ≦x 、 0≦x+y ≦1 であり、x=0 、y=0 またはx=y=0 を含む)系材料の膜3Nから形成されるレーザーダイオードにおいて、前記基板の基板面以外の(1,1,1) 面S3を劈開するときに、同時に劈開される前記Alx Gay In1-x-y N 系材料膜の(1,-1,0,0)面S4をレーザーダイオードのレーザー共振器の共振面とする。
請求項（抜粋）：
シリコン基板および、その(1,1,1) 面である基板面上に結晶成長されたAlx Gay In1-x-y N (但し、 0≦x 、0 ≦x 、 0≦x+y ≦1 であり、x=0 、y=0 またはx=y=0 を含む)系材料の膜から形成されるレーザーダイオードにおいて、前記基板の基板面以外の (1,1,1)面を劈開するときに、同時に劈開される前記Alx Gay In1-x-y N 系材料膜の (1,-1,0,0) 面がレーザーダイオードのレーザー共振器の共振面であることを特徴とするIII 族窒化物レーザーダイオード。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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