特許

J-GLOBAL ID：200903001015731313

CMP処理の評価方法

発明者： 丸野 浩昌
出願人/特許権者： 株式会社島津製作所
代理人 (1件)： 倉内 義朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-015231
公開番号（公開出願番号）：特開平10-214868
出願日： 1997年01月29日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：

【要約】【課題】 CMP処理後のウエハの表面凹凸を非破壊で測定するすることができ、もってCMP処理の評価の、プロセスへのインライン化を実現することが可能なCMP処理の評価方法を提供する。【解決手段】 試料Sとこれに対向配置した探針1aとを近接させ、その探針1a及び試料Sを相対的に走査することにより、探針1aと試料表面との間の相互作用により生じる物理量を検出して試料表面の形状を原子レベルの分解能で測定する走査型プローブ顕微鏡(AFM)を用い、測定対象となるウエハを、探針1a下に配置するとともに、そのウエハの所定位置(測定点)に探針1aを位置合わせした状態で、当該探針1aを線状に走査してウエハの表面形状を、非破壊で測定し、その測定結果からCMP処理の良否を判定する。

請求項（抜粋）：

半導体製造プロセスにおいてCMP処理を行ったウエハを評価する方法であって、試料とこれに対向配置した探針とを近接させ、その探針及び試料を相対的に走査することにより、探針と試料表面との間の相互作用により生じる物理量を検出して試料表面の形状を原子レベルの分解能で測定する走査型プローブ顕微鏡を用い、測定対象となるウエハを上記探針下に配置するとともに、そのウエハの所定位置に探針を位置合わせした状態で、当該探針を線状に走査してウエハの表面形状を測定し、その測定結果からCMP処理の良否を判定することを特徴とする、CMP処理の評価方法。

IPC (4件)：

H01L 21/66 ,  G01B 21/30 ,  G01N 37/00 ,  H01L 21/304 321

FI (4件)：

H01L 21/66 J ,  G01B 21/30 Z ,  G01N 37/00 F ,  H01L 21/304 321 A