特許
J-GLOBAL ID：200903001017314477
半導体発光素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-109893
公開番号（公開出願番号）：特開2003-303994
出願日： 2002年04月12日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：
【要約】【課題】 LEDにダメージを与えることなくかつLEDのパッド電極にもダメージを与えることなく、LEDの剥離時に生じた異物を効率良く完全に除去することができる、画像表示装置などに好適に用いることができるプラスチック埋蔵型LED等の半導体発光素子の製造方法を提供すること。【解決手段】 サファイア基板1にLED2となる半導体層を形成する工程と;前記半導体層をパターニングする工程と;しかる後に、前記半導体層上に絶縁層3を被覆する工程と;サファイア基板1と前記半導体層とをその界面で剥離する工程と;この剥離時に前記半導体層の周囲に生じた異物(カーボン系物質)19を、長波長レーザー光23照射によって除去する工程と;を有する半導体発光素子の製造方法。
請求項（抜粋）：
基板に半導体層を形成する工程と;前記半導体層をパターニングする工程と;しかる後に、前記半導体層上に絶縁層を被覆する工程と;前記基板と前記半導体層とをその界面で剥離する工程と;この剥離時に前記半導体層の周囲に生じた異物をレーザー光照射によって除去する工程と;を有する半導体発光素子の製造方法。
Fターム (14件)：
5F041AA43
, 5F041CA40
, 5F041CA74
, 5F041CA77
, 5F041CA88
, 5F041CB13
, 5F041DA34
, 5F041DA82
, 5F041DA92
, 5F041DB08
, 5F041DC07
, 5F041DC12
, 5F041DC26
, 5F041FF01
