特許
J-GLOBAL ID：200903001017902832
MOS型電界効果トランジスタ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-243359
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082777
出願日： 1991年09月24日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：
【要約】【目的】 ボロン突き抜けが生じないで、かつデバイスの電気特性がシリコン酸化膜をゲート絶縁膜とした場合と同じである表面チャネル型p+ ポリシリコンゲートPMOS型電界効果トランジスタを実現する。【構成】 ゲート絶縁膜がシリコン窒化膜5とシリコン酸化膜4との2層構造で、かつシリコン窒化膜5がゲート電極側に位置する。
請求項（抜粋）：
2層構造のゲート絶縁膜を有するMOS型電界効果トランジスタであって、2層構造のゲート絶縁膜は、上下に積層されたシリコン窒化膜とシリコン酸化膜であり、シリコン窒化膜は、ゲート電極側に位置するものであることを特徴とするMOS型電界効果トランジスタ。
引用特許：
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