特許
J-GLOBAL ID：200903001019041982
パワーモジュール用基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-142286
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335651
出願日： 1995年06月09日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：
【要約】【目的】放熱特性を損なわずに、熱変形を吸収してセラミック基板の反りや割れを防止できる。【構成】セラミック基板13に金属薄板14が直接積層接着され、この金属薄板14に第2ろう材12と可塑性多孔質金属層17と第2ろう材12とを介してヒートシンク18が積層接着される。ヒートシンク18はセラミック基板13と異なる熱膨張係数を有する。セラミック基板13はAl2O3により形成され、金属薄板14はCuにより形成され、可塑性多孔質金属層17は気孔率20〜50%のCuの多孔質焼結体である。またヒートシンク18はCuにより形成され、第2ろう材12はAg-Cuろう材であり、可塑性多孔質金属層17にはシリコーングリースが充填される。
請求項（抜粋）：
セラミック基板(13)に直接又は第1ろう材(51)を介して積層接着された金属薄板(14)と、前記金属薄板(14)に第2ろう材(12,22)と可塑性多孔質金属層(17)と前記第2ろう材(12,22)とを介して積層接着され前記セラミック基板(13)と異なる熱膨張係数を有するヒートシンク(18,28,78)とを備えたパワーモジュール用基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/12 J
, H01L 23/36 M
