特許
J-GLOBAL ID:200903001022588321

薄膜トランジスタ基板、その製造方法及び薄膜トランジスタ基板形成用ベース基板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 吉村 俊一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-219134
公開番号(公開出願番号):特開2008-047577
出願日: 2006年08月11日
公開日(公表日): 2008年02月28日
要約:
【課題】キャリア移動度がよく且つプラスチック基材に密着性よく設けられたポリシリコン膜を有する、低コストの薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】プラスチック基材10と、プラスチック基材10上に形成された歪付与膜11と、歪付与膜11上に形成されたバッファ膜12と、バッファ膜12上に形成されたポリシリコン膜13と、そのポリシリコン膜13上に形成されたゲート絶縁膜14と、ゲート絶縁膜14上に、又はゲート絶縁膜14のコンタクトホールを介して形成された電極15と、電極15等を覆う保護膜18とを有する薄膜トランジスタ基板1により、上記課題を解決する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
プラスチック基材上にバッファ膜を介してポリシリコン膜が形成されてなる薄膜トランジスタ基板であって、前記プラスチック基材と前記バッファ膜との間には、当該プラスチック基材に密着すると共に前記ポリシリコン膜に応力歪みを与える単一金属又はその窒化物、酸化物若しくは酸窒化物からなる歪付与膜が形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
IPC (2件):
H01L 29/786 ,  H01L 21/20
FI (2件):
H01L29/78 626C ,  H01L21/20
Fターム (62件):
5F110AA05 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD30 ,  5F110EE03 ,  5F110EE43 ,  5F110FF02 ,  5F110FF28 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL23 ,  5F110NN01 ,  5F110NN23 ,  5F110NN34 ,  5F110PP03 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ21 ,  5F152AA13 ,  5F152BB02 ,  5F152CC04 ,  5F152CD01 ,  5F152CD03 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD15 ,  5F152CD16 ,  5F152CD17 ,  5F152CE05 ,  5F152CE12 ,  5F152CE16 ,  5F152CE24 ,  5F152CE45 ,  5F152CF13 ,  5F152FF03 ,  5F152FG01 ,  5F152FG04 ,  5F152FG18 ,  5F152LL03 ,  5F152LN08 ,  5F152MM04 ,  5F152NN20 ,  5F152NP11 ,  5F152NP12 ,  5F152NP13 ,  5F152NP14 ,  5F152NP17 ,  5F152NQ03 ,  5F152NQ12
引用特許:
出願人引用 (1件)

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