特許
J-GLOBAL ID：200903001028055791
強誘電体メモリ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-317098
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152578
出願日： 1991年11月29日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：
【要約】【目的】本発明は、強誘電体の分極の向き及びその電荷量を情報として扱うことより、多値情報若しくは疑似情報を記憶することができる強誘電体メモリ装置をを提供することを目的とする。【構成】本発明のメモリ装置は、情報を任意の値に設定した電荷量の分極状態として格納できる強誘電体薄膜を両主面側から導電体膜で挟み形成された強誘電体キャパシタCFEにロードキャパシタCL を直列接続して構成され、記憶される情報が任意の電荷量と方向による強誘電分極として書き込み・読出しされる強誘電体メモリ装置である。
請求項（抜粋）：
情報を分極状態として格納する強誘電体薄膜を両主面側から第1、第2導電体膜で挟み形成された強誘電体キャパシタと、前記強誘電体キャパシタに直列接続された誘電体キャパシタとを具備するメモリセルと、記憶すべき情報に応じて、所定の電界を選択的に印加して、前記強誘電体キャパシタに多値情報を格納する情報書き込み手段と、前記強誘電体キャパシタに格納された多値情報を検出する情報読出し手段とを備えたことを特徴とする強誘電体メモリ装置。
IPC (2件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
