特許

J-GLOBAL ID：200903001038987510

半導体装置

発明者： 桑村 誠 ,  伊藤 達志 ,  首藤 伸一朗 ,  秋月 伸也 ,  池村 和弘 ,  福島 喬
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-305036
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162573
出願日： 1994年12月08日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：

【要約】【目的】ワイヤー流れの発生が抑制され、しかも反りの発生が低減された半導体装置を提供する。【構成】回路1が形成されたビスマレイミドトリアジン基板2上に、接着剤層3を介して半導体素子4が搭載されている。そして、上記半導体素子4は、樹脂硬化体内層11と樹脂硬化体外層12の2層構造の樹脂硬化体層によって封止されている。

請求項（抜粋）：

半導体素子搭載基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側のみが樹脂硬化体層によって封止された半導体装置であって、上記樹脂硬化体層が、樹脂硬化体内層と樹脂硬化体外層の2層構造からなり、かつ上記樹脂硬化体内層中の充填材含有量が、上記樹脂硬化体外層中の充填材含有量より少なく設定されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/08

FI (2件)：

H01L 23/30 B ,  H01L 23/30 R