特許

J-GLOBAL ID：200903001041018820

半導体装置

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-043976
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317530
出願日： 1990年12月25日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：

【要約】【課題】 新規な半導体装置を提供する。【解決手段】 絶縁表面上に形成された半導体層を有する半導体装置であって、前記半導体層は結晶性珪素の複数のクラスタを有し、該複数のクラスタは、少なくとも一部が互いに結合されており、相互の間で実質的にグレインバウンダリがないことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に形成された半導体層を有する半導体装置であって、前記半導体層は結晶性珪素の複数のクラスタを有し、該複数のクラスタは、少なくとも一部が互いに結合されており、相互の間で実質的にグレインバウンダリがないことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500

FI (4件)：

H01L 29/78 618 Z ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-242724
  
• 特開昭58-074080
  
• 特開昭58-027364
  
• 特開昭63-237570