半導体処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：竹内澄夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-224660
公開番号（公開出願番号）：特開平10-055968
出願日： 1996年08月08日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】反応炉内部に残留した汚染物質(パーテイクル)を効率よく除去でき、ガス流量の広い範囲にわたって、基板上を流れるガスを均一にできる枚葉式半導体処理装置を提供することである。【解決手段】反応炉(10)の内部に供給されたガスを反応炉(10)の外部へと排気するための排気口(35)に連通した略環状スリット(30)を有するガス整流手段(28、29、30)を具備し、略環状スリット(30)を基板(34)の外側周囲下方に位置し、略環状スリット(30)の幅を排気口(35)付近で狭くしたことを特徴とする、枚葉式半導体処理装置。

請求項（抜粋）：

反応炉の内部に基板の上方から供給されたガスを基板の中心付近から放射状に外周付近へと均一に流すために、前記反応炉の内部に供給された前記ガスを前記反応炉の外部へと排気するための排気口に連通した略環状スリットを有するガス整流手段を具備し、前記略環状スリットを前記基板の外側周囲下方に位置し、前記略環状スリットの幅を前記排気口の付近で狭くしたことを特徴とする、枚葉式半導体処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 , H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 D , H01L 21/31 B

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体処理リアクタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-038904 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレーテッド
ウエハの帯電軽減方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-275889 出願人：日立電子エンジニアリング株式会社
ウェーハ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-178136 出願人：国際電気株式会社

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