特許

J-GLOBAL ID：200903001056270029

半導体装置

発明者： 草苅 正健
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-087108
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291566
出願日： 1992年04月08日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【目的】本発明は、ゲート電極にポリシリコンのような比較的抵抗値の高い材料を用いた半導体装置に関し、ゲート電極を抵抗値を低減させ、ゲート電極への入力端子の接続位置が制限されることのない半導体装置を提供することを目的とする。【構成】ソース領域20とドレイン領域24間のチャネル領域22上にゲート電極28が設けられ、ゲート電極28の上層に絶縁層48を介してゲート電極28より幅の広い金属配線層46を設け、ゲート電極28と金属配線層46がコンタクトホール29を介して所定間隔毎に接続されている。

請求項（抜粋）：

ソース領域とドレイン領域間のチャネル領域上にゲート電極が設けられた半導体装置において、前記ゲート電極の上層に絶縁層を介して前記ゲート電極より幅の広い金属配線層を設け、前記ゲート電極と前記金属配線層が所定間隔毎に接続されていることを特徴とする半導体装置。