特許
J-GLOBAL ID：200903001063346537
光電子放射源装置の効率を改善させる方法および装置
ガルブゾブ,ドミトリ,ザルマノビック
, ガルブゾブ,ドミトリ,ザルマノビック について
メナ,レイモンド,ジェー.
メナ,レイモンド,ジェー. について
出願人/特許権者：
トルンプ フォトニクス,インコーポレイテッド
トルンプ フォトニクス,インコーポレイテッド について
代理人 (3件)： 稲葉 良幸 , 田中 克郎 , 大賀 眞司
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-574188
公開番号（公開出願番号）：特表2005-510854
出願日： 2001年03月19日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：
半導体レーザ、スーパールミネセンス発行ダイオード(SLD)、利得チップ、光増幅器などの光電子装置の効率を改善させる方法を開示する。図4Bを参照されたい。本発明の原理によれば、少なくとも1つの遮断層(70)が、装置を構成する材料間の境界面において挿入される。少なくとも1つの遮断層は、障壁を創出し、この障壁は、導波路領域に含まれる装置の活性領域から装置のクラッド領域(66)に電子が漏出するのを防止する。本発明の一態様では、遮断層(70)が、異なるタイプの伝導性を有する半導体材料の接合部に形成される。遮断層により、電子が異なる極性の材料に入るのが防止される。本発明の他の態様では、低ドープまたは非ドープ領域(64)が、光損失を低減するために、遮断層(70)に隣接して配置される。
請求項（抜粋）：
接合部をpタイプ組成材料とnタイプ組成材料との間に形成して、様々な組成を有する隣接して接続された複数の半導体材料からなる光電子装置の効率を改善させる方法であって、
前記p/n接合部と合致する遮断層を組み付けるステップであって、前記遮断層が、電子がnタイプ材料と言われる活性領域からpタイプ材料に横断するのを防止するために、伝導帯に障壁を生成するような組成の材料から形成されるステップと、
隣接して接続された材料より低いドーピング・レベルを有する前記遮断層に隣接して材料を組み付けるステップとを含む、方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (11件)：
5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA39
, 5F041CB36
, 5F073AA45
, 5F073AA51
, 5F073AA74
, 5F073CA05
, 5F073CA13
, 5F073DA35
引用特許：
出願人引用 (4件)
-
半導体レーザ
公報種別：公開公報 出願番号：特願平8-254618 出願人：日本電気株式会社 -
半導体レーザ素子
公報種別：公開公報 出願番号：特願平7-195627 出願人：三井石油化学工業株式会社 -
高温非冷却ダイオードレーザ
公報種別：公開公報 出願番号：特願平6-271860 出願人：ベルコミュニケーションズリサーチインコーポレーテッド
Copyright (c) 2009 Japan Science and Technology Agency. All Rights Reserved