特許
J-GLOBAL ID：200903001066534547
SOI構造の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
布施 行夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-193604
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045838
出願日： 1994年07月26日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：
【要約】【目的】 真空度が数mTorrの減圧化学気相成長法(減圧CVD法)が適用可能で、低コストで生産性の高いSOI構造の製造方法を提供する。【構成】 SOI構造の製造方法は、(a)単結晶半導体基板10の結晶面に絶縁層12が所定のパターンで形成される工程、(b)前記結晶面の表面を水素原子で終端させて安定化させる工程、(c)実質的に酸化成分を除去した雰囲気において減圧化学気相成長によって、非晶質半導体層16が、前記結晶面および前記絶縁層12を連続して被覆する状態で形成される工程、および(d)前記非晶質半導体層16が、熱処理によって単結晶シリコン層18とされる工程、を含む。
請求項（抜粋）：
(a)単結晶半導体基板の結晶面に絶縁層が所定のパターンで形成される工程、(b)前記結晶面の表面を水素原子で終端させて安定化させる工程、(c)実質的に酸化成分を除去した雰囲気において減圧化学気相成長によって、非晶質半導体層が、前記結晶面および前記絶縁層を連続して被覆する状態で形成される工程、および(d)前記非晶質半導体層が、熱処理によって単結晶化される工程、を含むSOI構造の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20
, H01L 21/31
, H01L 27/12
