特許

J-GLOBAL ID：200903001069597159

薄膜トランジスタアレイとその製造方法

発明者： 西田 真一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-124371
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326924
出願日： 1992年05月18日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタアレイを、ゲート電極配線材料としてアルミニウム膜を用いて形成する際に、安易に安定でかつ低抵抗な配線を得る。【構成】 ガラス基板1上に形成する薄膜トランジスタのゲート配線を、純アルミ2とシリコンアルミ3とを積層した構造とする。この構造により、純アルミの持つ低抵抗という性質とシリコンアルミの持つ耐ヒロック・耐マイグレーションの性質が、お互いに他の欠点を補うため、両者のよい点を引き出すことができる。また純アルミを基板側に用いることにより、基板界面へのシリコンの析出による残さの問題も起こらず、この除去に要する工程を簡略化できる。さらに、表面から基板に到達しない一定の深さまであらかじめ定められた濃度分布でシリコン原子を純アルミに添加する構造にすることによっても同等の効果が得られる。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に、基板側からゲート電極,ゲート絶縁膜,島状非晶質シリコン膜,ソース・ドレイン電極の順に配置された薄膜トランジスタのアレイにおいて、ゲート電極を接続する配線が、不純物の非常に少ないアルミニウム膜と一定量のシリコン原子が添加されたアルミニウム膜とを積層してあることを特徴とする薄膜トランジスタアレイ。

IPC (6件)：

H01L 29/40 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784

FI (3件)：

H01L 27/08 102 D ,  H01L 29/78 311 A ,  H01L 29/78 311 G