特許

J-GLOBAL ID：200903001071041311

ベンゾシクロブテン層のドライエッチング処理方法、それを用いた多層配線用絶縁層の形成方法

発明者： 糟谷 行男
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-146303
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017798
出願日： 1994年06月28日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 ベンゾシクロブテン層表面にカーボンが付着することなく、短時間で、再現性よく、ベンゾシクロブテン層のドライエッチングを行う方法を提供すること。【構成】 エッチングガスとしてCF4 ガスを80sccm,O2 ガスを120sccmで供給し、反応室内のガス圧0.1〜10Torr、とし、RF電力10〜1000Wを電極に印加してエッチングガスを反応性ガス29に変えて、ベンゾシクロブテン層63のドライエッチングを行う。次に、反応室内のガス圧0.1〜10Torr、RF電力300W以下とした条件により、酸素プラズマ35を用いて、ドライエッチング後のベンゾシクロブテン層表面の付着物を除去する。

請求項（抜粋）：

ベンゾシクロブテン層をCF4 とO2 の混合ガスを用いてドライエッチングする工程と、ドライエッチング後のベンゾシクロブテン層表面の付着物を、酸素プラズマを用いて、除去する工程と、を含むことを特徴とするベンゾシクロブテン層のドライエッチング処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/302 H