特許

J-GLOBAL ID：200903001072008067

半導体装置

発明者： 入野田 貢
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-020892
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213798
出願日： 1996年02月07日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】 この発明は、良好なバリア性が確保でき、接合のリークを防止出来る半導体装置を提供することを目的とするものである。【解決手段】 シリコン半導体基板110に形成した層間絶縁膜105に電気的接続を行うコンタクトホール110を設け、このコンタクトホール110内部に導電層を備えた半導体装置であって、前記コンタクトホールの底部108、コーナー部107及び側壁部109に連続して形成され、半導体基板101と導電層の間の相互拡散を制御する導電性のバリアメタル106が、その結晶粒径をコンタクトホール底部108からコーナー部107及び側壁部109に至るまでこの順序で相対的に小粒径から大粒径に不連続点が生じることなく連続的に変化していることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成した層間膜に電気的接続を行うコンタクトホールを設け、このコンタクトホール内部に導電層を備えた半導体装置であって、前記コンタクトホールの底部、コーナー部及び側壁部に連続して形成され、前記半導体基板と導電層の間の相互拡散を制御する導電性のバリアメタルが、その結晶粒径を前記コンタクトホールの底部からコーナー部及び側壁部に至るまで前記底部からコーナー部及び側壁部の順で相対的に小粒径から大粒径に不連続点が生じることなく連続的に変化していることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285

FI (3件)：

H01L 21/90 D ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/285 S