特許

J-GLOBAL ID：200903001073095621

導電性パターンの形成方法

発明者： 上山 健一
出願人/特許権者： 花王株式会社
代理人 (1件)： 羽鳥 修 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-232720
公開番号（公開出願番号）：特開平9-078250
出願日： 1995年09月11日
公開日（公表日）： 1997年03月25日
要約：

【要約】【課題】 簡易な操作で、基体の表面に良好に導電性パターンを形成することができる、導電性パターンの形成方法を提供すること。【解決手段】 基体の表面に所定のパターンの金属膜を形成する導電性パターンの形成方法において、上記表面を、カチオン性基を有する化合物で上記パターンに沿って処理する前処理工程と、上記化合物で処理された上記表面を、スズーパラジウム系活性剤で処理して、該表面に上記パターンに沿って触媒核を吸着させる触媒核吸着工程と、次いで、無電解メッキ液で処理して、上記表面に上記パターンに沿って、金属膜を形成する無電解メッキ工程とを具備することを特徴とする導電性パターンの形成方法。

請求項（抜粋）：

基体の表面に所定のパターンの金属膜を形成する導電性パターンの形成方法において、上記表面を、カチオン性基を有する化合物で上記パターンに沿って処理する前処理工程と、上記化合物で処理された上記表面を、スズーパラジウム系活性剤で処理して、該表面に上記パターンに沿って触媒核を吸着させる触媒核吸着工程と、次いで、無電解メッキ液で処理して、上記表面に上記パターンに沿って、金属膜を形成する無電解メッキ工程とを具備することを特徴とする導電性パターンの形成方法。

IPC (3件)：

C23C 18/18 ,  C23C 18/20 ,  H05K 3/18

FI (3件)：

C23C 18/18 ,  C23C 18/20 A ,  H05K 3/18 B