特許

J-GLOBAL ID：200903001073657204

基板評価用素子及びその製造方法

発明者： 山本 一弘 ,  久保田 剛志
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-247239
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077336
出願日： 1999年09月01日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】 SOI基板を正しく評価することができる基板評価用素子を提供すること。【解決手段】 埋め込み酸化膜22上にシリコン層23が形成されたSOI基板20を評価するための基板評価用素子において、シリコン層23上にMOSキャパシタ30を形成し、MOSキャパシタ30周辺のシリコン層23にシリコン層23の型と反対の型の拡散層23aを形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁物または絶縁層上にシリコン層が形成された基板を評価するための基板評価用素子において、前記シリコン層上にMOSキャパシタが形成され、該MOSキャパシタ周辺の前記シリコン層に該シリコン層の型と反対の型の拡散層が形成されていることを特徴とする基板評価用素子。

IPC (3件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/66 ,  H01L 29/786

FI (3件)：

H01L 27/12 T ,  H01L 21/66 Y ,  H01L 29/78 624

Fターム (42件)：

4M106AA07 ,  4M106AA10 ,  4M106AA20 ,  4M106AB12 ,  4M106AB15 ,  4M106AB17 ,  4M106BA14 ,  4M106CA12 ,  4M106CA27 ,  4M106CA70 ,  4M106CB02 ,  5F110AA24 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110EE36 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ15 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110NN02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110NN37 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ05