特許

J-GLOBAL ID：200903001076507807

半導体装置およびその製造方法

発明者： クロス ジェフリー スコット ,  藤木 充司 ,  塚田 峰春 ,  坂井 強志 ,  田村 哲朗
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-322641
公開番号（公開出願番号）：特開2000-156471
出願日： 1998年11月12日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：

【要約】【課題】 良好な耐疲労特性を有し、信頼性が高く、低電圧での動作に適合しうるキャパシタを含む半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 酸化金属膜30とこの酸化金属膜30上に形成された金属膜34とを含む第1の電極36と、この第1の電極36上に形成された強誘電体膜38と、およびこの強誘電体膜36上に形成されたペロブスカイト膜40を含む第2の電極46とを含む。

請求項（抜粋）：

酸化金属膜とこの酸化金属膜上に形成された金属膜とを含む第1の電極と、前記第1の電極上に形成された強誘電体膜と、前記強誘電体膜上に形成されたペロブスカイト膜を含む第2の電極とを含む半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651

Fターム (19件)：

5F083AD49 ,  5F083FR02 ,  5F083GA21 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083PR06 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 強誘電体容量絶縁膜用積層電極およびこれを用いた強誘電体容量素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-183229   出願人：ソニー株式会社
• 電子部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-072677   出願人：株式会社東芝
• 薄膜誘電体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-246063   出願人：株式会社東芝
• 誘電体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-149521   出願人：セイコーエプソン株式会社