微細パターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-289429
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126738
出願日： 1997年10月22日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：

【要約】【課題】反射防止用レジストとして、透過率の十分低いレジストを用いかつ、パターン位置合わせ用マークに反射防止用レジストが塗布されないようにして微細なパターンを容易に形成することを目的とする。【解決手段】反射防止用レジストとして透過率の十分低いレジストを下層の第1のレジストとして用い、基板上に形成されたパターン位置合わせ用マークを覆うように位置合わせ用マーク遮蔽物を形成した後、上記の第1のレジストを塗布、乾燥させる。その後位置合わせ用マーク遮蔽物を除去し、第2のレジストを塗布、乾燥させた後、露光を行う。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたパターン位置合わせ用マークを覆うように位置合わせ用マーク遮蔽物を形成した後、第1のレジストを塗布、乾燥させる工程と、その後前記位置合わせ用マーク遮蔽物を除去し、第2のレジストを塗布、乾燥させた後、露光を行う工程とを有する微細パターン形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , G03F 7/11 503 , G03F 7/26 511 , G03F 9/00

FI (5件)：

H01L 21/30 573 , G03F 7/11 503 , G03F 7/26 511 , G03F 9/00 H , H01L 21/30 574

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