特許
J-GLOBAL ID：200903001081514218
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-031345
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203893
出願日： 1995年01月27日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】層間絶縁膜として、良質な酸化膜を平坦性良く、低温で形成する。【構成】TEOSとオゾンを主原料として、減圧下で、酸化膜10を成長後、同一装置内で、酸素とオゾンとヘリウムと水を含んでなるプラズマ11と、場合によりさらに酸素とオゾンとヘリウムを含んでなるプラズマ13に被曝することで、装置から取りだしたとしても、大気中からの吸湿が無く、その後の高温熱処理などによっても安定な酸化膜を得ることができる。また、プラズマ発生時に200kHzから450kHzの1周波数の高周波を1MHz以上の周波数の高周波と共存させることにより、安定なプラズマを発生することができ酸化膜の角取り、及び凹状への埋め込み性が向上する。
請求項（抜粋）：
(a)化学気相成長法により被形成体上に絶縁膜を形成する工程と、(b)該絶縁膜を酸素とオゾンと水とヘリウムを導入したプラズマガスへ被曝させる工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, H01L 21/31
, H01L 21/768
