特許

J-GLOBAL ID：200903001088103469

耐熱性オーミック電極を備えたダイヤモンド薄膜及びその製造方法

発明者： 斉藤 公続 ,  西村 耕造 ,  宮田 浩一 ,  小橋 宏司
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-104766
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299635
出願日： 1992年04月23日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】 半導体ダイヤモンド薄膜を用いて形成され、高温環境下で使用される電子デバイスに好適の耐熱性オーミック電極を備えたダイヤモンド薄膜を得る。【構成】 p型Si基板1上に形成されたp型半導体ダイヤモンド薄膜2の表面には、Bが1.0×1019乃至1.8×1023cm-3の密度で導入された高濃度Bドープ層3が設けられている。また、この高濃度Bドープ層3上には、B、Al及びGaからなる群から選択された少なくとも1種の元素が1.0×1020乃至5.0×1022cm-3の濃度で導入されたp型Siからなる電極4が選択的に形成されている。

請求項（抜粋）：

p型半導体ダイヤモンド膜と、この半導体ダイヤモンド膜の表面に設けられたホウ素ドープ層と、このホウ素ドープ層上に選択的に形成されたp型Siからなる電極とを有し、前記ホウ素ドープ層にはホウ素が1.0×1019乃至1.8×1023cm-3の濃度で導入されており、前記電極には、B、Al及びGaからなる群から選択された少なくとも1種の元素が1.0×1020乃至5.0×1022cm-3の濃度で導入されていることを特徴とする耐熱性オーミック電極を備えたダイヤモンド薄膜。

IPC (3件)：

H01L 29/40 ,  C30B 29/04 ,  H01L 21/28 301

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平3-058480