特許

J-GLOBAL ID：200903001091717419

Si膜の欠陥評価法

発明者： 石山 俊彦
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 田中 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-029878
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224277
出願日： 1993年01月26日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：

【要約】【目的】 Si基板本体上にSiO2 膜とそれに比し十分薄いSi膜とがそれらの順に形成されている構成を有する半導体基板について、その上記Si膜の貫通転位でなる欠陥を、その欠陥の数によって評価するにつき、その評価を容易に行うことができるようにする。【構成】 上述した評価をするにつき、上記半導体基板を、上記SiO2 膜に比し上記Si膜に対するよりも、上記SiO2 膜と上記Si膜との厚さ比倍以上のエッチングレ-トを呈する溶液中に浸漬させることによって、上記SiO2 膜に、上記Si膜の欠陥下において、その欠陥に比し大きな開口を有するエッチング孔を形成し、そのエッチング孔の数によって、上記Si膜の欠陥を評価する。

請求項（抜粋）：

Si基板本体上にSiO2 膜とそれに比し十分薄いSi膜とがそれらの順に形成されている構成を有する半導体基板について、その上記Si膜の貫通転位でなる欠陥を、その欠陥の数によって評価するにつき、上記半導体基板を、上記SiO2 膜に比し上記Si膜に対するよりも、上記SiO2 膜と上記Si膜との厚さ比倍以上のエッチングレ-トを呈する溶液中に浸漬させることによって、上記SiO2 膜に、上記Si膜の欠陥下において、その欠陥に比し大きな開口を有するエッチング孔を形成し、そのエッチング孔の数によって、上記Si膜の欠陥を評価することを特徴とするSi膜の欠陥評価法。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  G01N 33/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-131030
  
• 特開平4-131030
  
• 特開昭59-040422
  
• 特開平4-121923