特許
J-GLOBAL ID：200903001091775532
標準セル
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-273164
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125787
出願日： 1996年10月16日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：
【要約】【課題】 標準セル内の基板コンタクト領域の面積を削減し、高集積な半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】 トランジスタのソース領域となる拡散領域7、8と、トランジスタの基板コンタクト領域となる拡散領域9、10とを隣接させて配置し、ソース領域となる拡散領域7、8と、基板コンタクト領域となる拡散領域9、10とを金属シリサイド17により接続し、ソース領域となる拡散領域上には、電源および接地の電位を与える上層の金属配線1、2との接続を行うためのコンタクトホール13を設け、基板コンタクト領域となる拡散領域上には、コンタクトホールを設けない構成とする。これにより、基板コンタクト領域となる拡散領域に、金属シリサイドに対する位置合わせのための余裕を設ける必要がなく、標準セル面積を削減することができる。
請求項（抜粋）：
半導体集積回路装置で用いられる標準セルであって、トランジスタのソース領域となる拡散領域と、トランジスタの基板コンタクト領域となる拡散領域とを隣接させて配置し、前記ソース領域となる拡散領域と、前記基板コンタクト領域となる拡散領域とを金属シリサイドにより接続し、前記ソース領域となる拡散領域上には、電源および接地の電位を与える上層の金属配線との接続を行うためのコンタクトホールを設け、前記基板コンタクト領域となる拡散領域上には、前記コンタクトホールを設けないことを特徴とする標準セル。
IPC (3件)：
H01L 21/82
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
H01L 21/82 B
, H01L 27/08 321 D
