特許

J-GLOBAL ID：200903001092618791

半導体装置の製造方法

発明者： 平田 勲夫 ,  盛岡 一信 ,  池谷 晋一
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-157190
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008261
出願日： 1997年06月13日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：

【要約】【課題】 母基材の板厚が厚い場合であっても、あるいはスルーホール間のピッチが狭い場合であっても、スルーホールの切断歩留りが良好な半導体装置の製造方法を提供する【解決手段】 母基材22に長円形の孔を穿設することによって形成されるスルーホール20を複数設ける。該スルーホール20にめっき処理した後、各スルーホール20の短径側を横切る線に沿って母基材22を切断する。しかして基板1の端部にスルーホール22が切断されることによって形成されるアウターリード10を設けた半導体装置Aを得る。スルーホール20の内面にメッキによって形成される電極の面積が大きくなり、母基材22の切断時に母基材22が歪んでも、スルーホール20の切断部分のメッキのめくれやはがれが発生し難くなる。

請求項（抜粋）：

母基材に長円形の孔を穿設することによって形成されるスルーホールを複数設け、該スルーホールにめっき処理した後、各スルーホールの短径側を横切る線に沿って母基材を切断することによって、基板の端部にスルーホールが切断されることによって形成されるアウターリードを設けた半導体装置を得ることを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 23/12 ,  H05K 3/40

FI (3件)：

H01L 21/60 301 A ,  H05K 3/40 D ,  H01L 23/12 K