特許

J-GLOBAL ID：200903001095062263

半導体結晶の製造方法及びそれに用いる装置

発明者： 木村 康三 ,  三輪 司郎 ,  郭 立信 ,  安田 哲二 ,  八百 隆文
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社 ,  ソニー株式会社 ,  技術研究組合オングストロームテクノロジ研究機構 ,  工業技術院長
代理人 (2件)： 阿形 明 ,  阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-317767
公開番号（公開出願番号）：特開平10-158099
出願日： 1996年11月28日
公開日（公表日）： 1998年06月16日
要約：

【要約】【課題】 化合物半導体、特にZnSe及びZnSeを構成元素とする三次元、四次元化合物半導体のp-型を形成させる場合に、結晶性を損なうことなく、正孔濃度を著しく高めることを目的とする。【解決手段】 半導体結晶を活性窒素原子の存在下で成長させるに当り、1kW以上のパワーをもつ高周波を印加して発生させた高原子密度の窒素プラズマをその高原子密度領域から直接に結晶成長領域に導入すること及びその導入時に差動排気を行って窒素原子流の集中を低減する正孔濃度の大きい半導体結晶の製造方法、及びプラズマ発生部と分子線結晶成長部とを備えた半導体結晶製造装置において、プラズマ発生部と分子線結晶成長装置とを連結するための先端に細管を付した導入管、プラズマ発生部の分子線結晶成長装置側付近に取り付けられた差動排気機構及び前記プラズマ発生部に1kW以上のパワーの高周波を印加するための高周波電源を設けた半導体結晶製造装置である。

請求項（抜粋）：

半導体結晶を活性窒素原子の存在下で成長させるに当り、1kW以上のパワーをもつ高周波を印加して発生させた高原子密度の窒素プラズマをその高原子密度領域から直接に結晶成長領域に導入すること及びその導入時に差動排気を行って窒素原子流の集中を低減することを特徴とする正孔濃度の大きい半導体結晶の製造方法。