特許

J-GLOBAL ID：200903001096702924

薄 膜

発明者： 斎木 幸治 ,  木原 久美子
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-348896
公開番号（公開出願番号）：特開平6-192832
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月12日
要約：

【要約】【目的】高分子フィルム等の基板上に被覆され、優れたガスバリアー性をこの基板に付与することができる薄膜を提供する。【構成】Si、Al、Ti、Zr、Ta、Nb、およびSnからなる群から選択される少なくとも1種の金属の酸化物、窒化物または酸化窒化物からなる薄膜であって、ターゲット表面における最大水平磁束密度が400ガウス以上1200ガウス以下とした条件で高周波マグネトロンスパッタリング法を行なうことにより基板上に形成された薄膜。

請求項（抜粋）：

Si、Al、Ti、Zr、Ta、Nb、およびSnからなる群から選択される少なくとも1種の金属の酸化物、窒化物または酸化窒化物からなる薄膜であって、ターゲット表面における最大水平磁束密度が400ガウス以上1200ガウス以下とした条件で高周波マグネトロンスパッタリング法を行なうことにより基板上に形成された薄膜。

IPC (2件)：

C23C 14/35 ,  C23C 14/06